随着新能源汽车向高性能、长续航和快速补能方向发展，800V高压平台正成为电动汽车技术升级的重要路径。相较传统硅基器件，碳化硅（SiC）器件具备高耐压、低开关损耗、高开关频率及高温工作能力等特点，可为高压电驱系统提升效率、降低损耗并优化热管理提供有力支持。在主驱逆变器中，SiC功率模块需要同时满足大电流、高功率密度、频繁工况变化和复杂环境条件下的长期可靠运行要求。

模块的芯片选型、电气拓扑、寄生参数、封装结构、散热路径及驱动保护策略都会影响整车系统性能。因此，产品开发不仅需要关注单一器件参数，更要围绕电驱系统进行协同设计与综合验证。

斯科半导体聚焦第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发与生产，围绕新能源汽车高压电驱应用布局LPM、SPM及EPM产品平台。公司具备芯片选型、模块设计、仿真分析、工艺开发、应用开发、可靠性测试与失效分析等完整研发能力，可结合客户的母线电压、功率等级、冷却条件和空间边界开展产品匹配与定制开发，助力800V电驱系统实现高效率、高功率密度与可靠运行。